Transistor canal P SI2307CDS, SOT-23, -30V
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Transistor canal P SI2307CDS, SOT-23, -30V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 340pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -2.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.138 Ohms @ -2.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: N7. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:36
SI2307CDS
16 paramètres
Boîtier
SOT-23
Tension drain-source Uds [V]
-30V
Capacité de grille Ciss [pF]
340pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-2.7A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.138 Ohms @ -2.2A
Dissipation maximale Ptot [W]
1.8W
Délai de coupure tf[nsec.]
40 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Marquage du fabricant
N7
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
60 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-3V
Produit d'origine constructeur
Vishay (siliconix)