Transistor canal P SI2309CDS-T1-GE3, SOT-23, MS-012, -60V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 210pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -1.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: N9. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:31