Transistor canal P SI2323DS-T1-E3, SOT-23, -20V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1020pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -4.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Délai de coupure tf[nsec.]: 71 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: D3. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.0V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 20:19