Transistor canal P SI2333CDS-T1-GE3, SOT-23, -12V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1225pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -7.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ -5.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: 3. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:31