Transistor canal P SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. Id (T=25°C): 2.45A. Idss (maxi): 5nA. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-6. Tension Vds(max): 20V. Dissipation de puissance maxi: 1nA. Id (T=100°C): 1.95A. Id(imp): 16A. Idss (min): 1nA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 6. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 0.45V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:14