Transistor canal P SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 7.1A. Idss (maxi): 7.1A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Id (T=100°C): 5.7A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: P. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:07