Transistor canal P SI9953DY, SO8, MS-012, -20V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 500pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: SI9953DY. Nombre de bornes: 8. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4.5V. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:25