Transistor canal P SPD08P06P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 335pF. C (out): 105pF. Dissipation de puissance maxi: 42W. Id (T=100°C): 6.2A. Id(imp): 35A. Idss (min): 0.1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Spec info: ID pulse 35.2A. Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 60us. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:33