Transistor canal P SPP18P06P, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=25°C): 18.7A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 230pF. C (out): 95pF. Dissipation de puissance maxi: 81W. Fonction: Mode d'amélioration dv/dt. Id (T=100°C): 13.2A. Id(imp): 74.8A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 18P06P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: diode. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.102 Ohms. Td(off): 25 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.7V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:33