Transistor IGBT IGW75N65H5XKSA1
Quantité
Prix unitaire
1-4
11.95$
5-9
10.13$
10-19
9.78$
20-49
9.53$
50+
9.23$
| Quantité en stock: 5 |
Transistor IGBT IGW75N65H5XKSA1. Boîtier: TO247. Charge: 160nC. Courant crête collecteur Ip [A]: 300A. Courant de collecteur Ic [A]: 75A. RoHS: oui. Technologie: TRENCHSTOP™. Tension (collecteur - émetteur): 650V. Tension Emetteur - Gate: ±20V. Type de transistor: IGBT. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/12/2025, 18:10
IGW75N65H5XKSA1
10 paramètres
Boîtier
TO247
Charge
160nC
Courant crête collecteur Ip [A]
300A
Courant de collecteur Ic [A]
75A
RoHS
oui
Technologie
TRENCHSTOP™
Tension (collecteur - émetteur)
650V
Tension Emetteur - Gate
±20V
Type de transistor
IGBT
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies