Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1
Quantité
Prix unitaire
1-1
17.78$
2-3
15.95$
4-5
14.54$
6-29
13.18$
30+
13.12$
| Quantité en stock: 7 |
Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1. Boîtier: TO-247AC. Courant de collecteur: 50A. Diode intégrée: oui. Puissance: 326W. Tension drain - source: 1200V. Type de transistor: transistor IGBT. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 19/12/2025, 11:23
IKW25N120H3FKSA1
7 paramètres
Boîtier
TO-247AC
Courant de collecteur
50A
Diode intégrée
oui
Puissance
326W
Tension drain - source
1200V
Type de transistor
transistor IGBT
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies