Transistor IGBT SGH80N60UFDTU. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 220A. Courant de collecteur Ic [A]: 80A. Dissipation maximale Ptot [W]: 195W. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Marquage du fabricant: SGH80N60UF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.5V. Produit d'origine constructeur: Onsemi (fairchild). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 20:53