Transistor IGBT SGH80N60UFDTU
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 20.52$ | 22.18$ |
| 2 - 2 | 19.49$ | 21.07$ |
| 3 - 4 | 19.08$ | 20.63$ |
| 5 - 9 | 18.47$ | 19.97$ |
| 10 - 14 | 18.05$ | 19.51$ |
| 15 - 19 | 17.44$ | 18.85$ |
| 20 - 89 | 16.82$ | 18.18$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 20.52$ | 22.18$ |
| 2 - 2 | 19.49$ | 21.07$ |
| 3 - 4 | 19.08$ | 20.63$ |
| 5 - 9 | 18.47$ | 19.97$ |
| 10 - 14 | 18.05$ | 19.51$ |
| 15 - 19 | 17.44$ | 18.85$ |
| 20 - 89 | 16.82$ | 18.18$ |
Transistor IGBT SGH80N60UFDTU. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SGH80N60UF. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 80A. Courant de collecteur maxi (A): 220A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 195W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Onsemi (fairchild). Quantité en stock actualisée le 23/07/2025, 20:25.
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