Transistor MOSFET AP4506GEH. Boîtier (selon fiche technique): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Vdss 30V (N), -30V (P). RoHS: oui. Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de canal: N-P. Produit d'origine constructeur: Advanced Power. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:24