Transistor MOSFET FDS4559
Quantité
Prix unitaire
1-4
1.26$
5-49
1.00$
50-99
0.85$
100-199
0.77$
200+
0.63$
| Quantité en stock: 352 |
Transistor MOSFET FDS4559. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: transistor canal N (Q1), transistor canal P (Q2). Technologie: omplementary PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de canal: N-P. Unité de conditionnement: 2500. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:07
FDS4559
15 paramètres
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Boîtier
SO
Conditionnement
rouleau
Dissipation de puissance maxi
2W
Fonction
Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2)
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Quantité par boîtier
2
RoHS
oui
Spec info
transistor canal N (Q1), transistor canal P (Q2)
Technologie
omplementary PowerTrench MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Type de canal
N-P
Unité de conditionnement
2500
Produit d'origine constructeur
Fairchild