Transistor MOSFET IRF7343
Quantité
Prix unitaire
1-4
2.62$
5-24
2.35$
25-49
2.15$
50-99
1.98$
100+
1.78$
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Transistor MOSFET IRF7343. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. Charge: 24/26nC. Courant de drain: 4.7/-3.4A. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Polarité: unipolaire. Puissance: 2W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance thermique: 62.5K/W. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 55/-55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de canal: N-P. Type de transistor: HEXFET, N/P-MOSFET x2, N/P-MOSFET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27
IRF7343
20 paramètres
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Boîtier
SO
Charge
24/26nC
Courant de drain
4.7/-3.4A
Dissipation de puissance maxi
2W
Fonction
paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Polarité
unipolaire
Puissance
2W
Quantité par boîtier
2
RoHS
oui
Résistance thermique
62.5K/W
Spec info
0.043 Ohms & 0.095 Ohms
Technologie
HEXFET®
Tension drain - source
55/-55V
Tension grille-source
20V, ±20V
Type de canal
N-P
Type de transistor
HEXFET, N/P-MOSFET x2, N/P-MOSFET
Produit d'origine constructeur
International Rectifier