Transistor NPN 2N2222A, TO-18 ( TO-206 ), 600mA, 0.8A, TO-18, 40V

Transistor NPN 2N2222A, TO-18 ( TO-206 ), 600mA, 0.8A, TO-18, 40V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.17$
5-24
1.05$
25-49
0.94$
50-99
0.87$
100+
0.74$
+2487 pièces supplémentaires disponibles en stock distant (approvisionnement dans les 4h). Nous contacter pour tarif et disponibilité!
Equivalence disponible
Quantité en stock: 44

Transistor NPN 2N2222A, TO-18 ( TO-206 ), 600mA, 0.8A, TO-18, 40V. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Boîtier (norme JEDEC): TO-18. C (in): 25pF. C (out): 8pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 600mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. FT: 300 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Sw And Linear Application, DC And VHF Amplifier. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Fréquence: 250MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Marquage du fabricant: 2N2222A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Température maxi: +175°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tf(max): 60 ns. Tf(min): 60 ns. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur: Cdil. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:27

Documentation technique (PDF)
2N2222A
43 paramètres
Boîtier
TO-18 ( TO-206 )
Courant de collecteur Ic [A], max.
600mA
Courant de collecteur
0.8A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-18
Tension collecteur/émetteur Vceo
40V
Boîtier (norme JEDEC)
TO-18
C (in)
25pF
C (out)
8pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de collecteur Ic [A]
600mA
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.5W
Dissipation maximale Ptot [W]
0.8W
FT
300 MHz
Famille de composants
transistor NPN
Fonction
Sw And Linear Application, DC And VHF Amplifier
Fréquence de coupure ft [MHz]
300 MHz
Fréquence
250MHz
Gain hFE maxi
300
Gain hFE mini
35
Marquage du fabricant
2N2222A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Polarité
bipolaire
Puissance
0.625W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Technologie
PLANAR TRANSISTOR
Température de fonctionnement
-60...+200°C
Température maxi
+175°C.
Tension (collecteur - émetteur)
40V
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
40V
Tension de saturation VCE(sat)
0.3V
Tf(max)
60 ns
Tf(min)
60 ns
Type de conditionnement
Ammo Pack
Type de transistor
NPN
Vcbo
75V
Vebo
6V
Produit d'origine constructeur
Cdil

Produits équivalents et/ou accessoires pour 2N2222A