Transistor NPN 2N2369A, TO-18 ( TO-206 ), 200mA, 0.2A, TO-18, 40V

Transistor NPN 2N2369A, TO-18 ( TO-206 ), 200mA, 0.2A, TO-18, 40V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.68$
5-24
3.28$
25-49
3.01$
50-99
2.82$
100+
2.49$
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Transistor NPN 2N2369A, TO-18 ( TO-206 ), 200mA, 0.2A, TO-18, 40V. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Boîtier (norme JEDEC): TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. FT: 500 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Transistor de commutation. Fréquence de coupure ft [MHz]: 675 MHz. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 0.5A. Marquage du fabricant: 2N2369. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tf(max): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Produit d'origine constructeur: Mev. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:27

Documentation technique (PDF)
2N2369A
32 paramètres
Boîtier
TO-18 ( TO-206 )
Courant de collecteur Ic [A], max.
200mA
Courant de collecteur
0.2A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-18
Tension collecteur/émetteur Vceo
40V
Boîtier (norme JEDEC)
TO-18
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Dissipation de puissance maxi
0.36W
Dissipation maximale Ptot [W]
0.36W
FT
500 MHz
Famille de composants
transistor NPN
Fonction
Transistor de commutation
Fréquence de coupure ft [MHz]
675 MHz
Gain hFE maxi
120
Gain hFE mini
40
Ic(puls)
0.5A
Marquage du fabricant
2N2369
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Température de fonctionnement
-60...+200°C
Température maxi
+200°C.
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
15V
Tension de saturation VCE(sat)
0.2V
Tf(max)
15 ns
Tf(min)
15 ns
Type de transistor
NPN
Vcbo
40V
Produit d'origine constructeur
Mev