Transistor NPN 2N5088, TO-92, 100mA, TO-92, 30 v

Transistor NPN 2N5088, TO-92, 100mA, TO-92, 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.28$
5-49
0.23$
50-99
0.20$
100-199
0.17$
200+
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Transistor NPN 2N5088, TO-92, 100mA, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. C (in): 10pF. C (out): 4pF. Courant de collecteur Ic [A]: 50mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 625W. FT: 50 MHz. Fonction: pré-amplificateur HI-FI à faible bruit. Fréquence: 50MHz. Gain hFE maxi: 900. Gain hFE mini: 300. Gain hfe: 300...900. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 35V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:27

Documentation technique (PDF)
2N5088
27 paramètres
Boîtier
TO-92
Courant de collecteur
100mA
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92
Tension collecteur/émetteur Vceo
30 v
C (in)
10pF
C (out)
4pF
Courant de collecteur Ic [A]
50mA
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
625W
FT
50 MHz
Fonction
pré-amplificateur HI-FI à faible bruit
Fréquence
50MHz
Gain hFE maxi
900
Gain hFE mini
300
Gain hfe
300...900
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Tension (collecteur - émetteur)
30V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
0.5V
Transistor Darlington?
non
Type de transistor
NPN
Vcbo
35V
Produit d'origine constructeur
Fairchild