Transistor NPN 2N5109, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V. Courant de collecteur: 0.4A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 1.2GHz. Gain hFE maxi: 210. Gain hFE mini: 70. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 3V. Produit d'origine constructeur: Sgs. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:27