Transistor NPN 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

Transistor NPN 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.41$
5-49
0.35$
50-99
0.30$
100-199
0.26$
200+
0.22$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 164

Transistor NPN 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 4pF. Conditionnement: -. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 30 MHz. Fonction: pré-amplificateur HI-FI à faible bruit. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 200. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 2000. Vcbo: 50V. Vebo: 4.5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:27

Documentation technique (PDF)
2N5210
24 paramètres
Courant de collecteur
100mA
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92
Tension collecteur/émetteur Vceo
50V
C (out)
4pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.625W
FT
30 MHz
Fonction
pré-amplificateur HI-FI à faible bruit
Gain hFE maxi
600
Gain hFE mini
200
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.7V
Type de transistor
NPN
Unité de conditionnement
2000
Vcbo
50V
Vebo
4.5V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor

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