Transistor NPN 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V

Transistor NPN 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.98$
5-49
0.85$
50-99
0.76$
100-199
0.68$
200+
0.58$
Quantité en stock: 88

Transistor NPN 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: C224GR. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA970GR. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:19

Documentation technique (PDF)
2SC2240GR
26 paramètres
Courant de collecteur
0.1A
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92
Tension collecteur/émetteur Vceo
120V
C (out)
3pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.3W
FT
100 MHz
Gain hFE maxi
400
Gain hFE mini
200
Marquage sur le boîtier
C224GR
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2SA970GR
Technologie
'Epitaxial Type (PCT Process)'
Température de fonctionnement
-55...+125°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.3V
Transistor Darlington?
non
Type de transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Toshiba