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| Quantité en stock: 10 |
Transistor NPN 2SC2690A, 1.2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V
Quantité
Prix unitaire
1-4
1.85$
5-24
1.55$
25-49
1.35$
50-99
1.23$
100+
1.05$
| Equivalence disponible | |
| Quantité en stock: 85 |
Transistor NPN 2SC2690A, 1.2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Courant de collecteur: 1.2A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. C (out): 19pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20W. FT: 155 MHz. Fonction: HF. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 2.5A. Marquage sur le boîtier: C2690A Y. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1220A. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:19
2SC2690A
24 paramètres
Courant de collecteur
1.2A
Boîtier
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Boîtier (selon fiche technique)
TO-126
Tension collecteur/émetteur Vceo
160V
C (out)
19pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
20W
FT
155 MHz
Fonction
HF
Gain hFE maxi
320
Gain hFE mini
160
Ic(puls)
2.5A
Marquage sur le boîtier
C2690A Y
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Quantité par boîtier
1
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2SA1220A
Tension de saturation VCE(sat)
0.4V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
0.7V
Type de transistor
NPN
Vcbo
160V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor