Transistor NPN 2SC2705, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V

Transistor NPN 2SC2705, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.62$
5-24
1.39$
25-49
1.24$
50-99
1.14$
100+
1.00$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 19

Transistor NPN 2SC2705, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. C (out): 1.8pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 200 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Ic(puls): 800mA. Marquage sur le boîtier: C2705. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 9mm. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1145. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:19

Documentation technique (PDF)
2SC2705
29 paramètres
Courant de collecteur
50mA
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92MOD ( 2-5J1A )
Tension collecteur/émetteur Vceo
150V
C (out)
1.8pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.8W
FT
200 MHz
Fonction
amplificateur audio
Gain hFE maxi
160
Gain hFE mini
80
Ic(puls)
800mA
Marquage sur le boîtier
C2705
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Remarque
9mm
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2SA1145
Technologie
'Epitaxial Type (PCT Process)'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
1V
Transistor Darlington?
non
Type de transistor
NPN
Vcbo
150V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Toshiba

Produits équivalents et/ou accessoires pour 2SC2705