Transistor NPN 2SC2713-GR, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V

Transistor NPN 2SC2713-GR, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.61$
5-19
4.11$
20-39
3.80$
40-59
3.47$
60+
2.62$
Quantité en stock: 295

Transistor NPN 2SC2713-GR, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 150mW. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: DG. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS DG. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1163. Tension de saturation VCE(sat): 300mV. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:19

2SC2713-GR
21 paramètres
Courant de collecteur
0.1A
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
120V
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
150mW
FT
100 MHz
Gain hFE maxi
700
Gain hFE mini
200
Marquage sur le boîtier
DG
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Remarque
sérigraphie/code CMS DG
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2SA1163
Tension de saturation VCE(sat)
300mV
Type de transistor
NPN
Vcbo
120V
Produit d'origine constructeur
Toshiba