Transistor NPN 2SC3460, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V

Transistor NPN 2SC3460, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.35$
5-29
3.83$
30-59
3.53$
60+
3.34$
Quantité en stock: 11

Transistor NPN 2SC3460, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 15 MHz. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 20A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tf(max): 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Vebo: 7V. Produit d'origine constructeur: Sanyo. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:19

Documentation technique (PDF)
2SC3460
23 paramètres
Courant de collecteur
6A
Boîtier
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3PB
Tension collecteur/émetteur Vceo
800V
Dissipation de puissance maxi
100W
FT
15 MHz
Fonction
Applications de régulateur à découpage
Gain hFE maxi
40
Gain hFE mini
10
Ic(puls)
20A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Technologie
'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
2V
Tf(max)
0.3us
Type de transistor
NPN
Vcbo
1100V
Vebo
7V
Produit d'origine constructeur
Sanyo