Transistor NPN 2SC5148, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Transistor NPN 2SC5148, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.95$
5-24
5.37$
25-49
4.92$
50+
4.69$
Quantité en stock: 22

Transistor NPN 2SC5148, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 2 MHz. Fonction: Horizontal Deflection Output, high speed Switch. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:53

Documentation technique (PDF)
2SC5148
23 paramètres
Courant de collecteur
8A
Boîtier
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Boîtier (selon fiche technique)
2-16E3A
Tension collecteur/émetteur Vceo
600V
Dissipation de puissance maxi
50W
FT
2 MHz
Fonction
Horizontal Deflection Output, high speed Switch
Gain hFE maxi
25
Gain hFE mini
8
Ic(puls)
16A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Technologie
'Triple Diffused MESA Type'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
5V
Tf(max)
0.3us
Tf(min)
0.15us
Type de transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Toshiba