Transistor NPN 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V

Transistor NPN 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.08$
5-9
3.69$
10-24
3.41$
25-49
3.17$
50+
2.87$
Quantité en stock: 88

Transistor NPN 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. C (out): 170pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 30 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Marquage sur le boîtier: C5198 O. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1941. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:53

Documentation technique (PDF)
2SC5198-TOS
27 paramètres
Courant de collecteur
10A
Boîtier
TO-3PN ( 2-16C1B )
Boîtier (selon fiche technique)
2-16C1B
Tension collecteur/émetteur Vceo
140V
C (out)
170pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
100W
FT
30 MHz
Fonction
Amplificateur de puissance HIFI
Gain hFE maxi
160
Gain hFE mini
80
Marquage sur le boîtier
C5198 O
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2SA1941
Technologie
'Triple Diffused Planar Transistor'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.3V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
2V
Type de transistor
NPN
Vcbo
140V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Toshiba