Transistor NPN 2SC5302, 15A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V

Transistor NPN 2SC5302, 15A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
7.45$
5-9
6.70$
10-19
6.28$
20-29
5.96$
30+
5.52$
Quantité en stock: 30

Transistor NPN 2SC5302, 15A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: kHz. Fonction: Ultrahigh-Definition CRT Display. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 35A. Marquage sur le boîtier: C5302. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: vitesse rapide (tf=100ns typ). Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur: Sanyo. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:53

Documentation technique (PDF)
2SC5302
25 paramètres
Courant de collecteur
15A
Boîtier
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3PML
Tension collecteur/émetteur Vceo
800V
Dissipation de puissance maxi
75W
FT
kHz
Fonction
Ultrahigh-Definition CRT Display
Gain hFE maxi
30
Gain hFE mini
4
Ic(puls)
35A
Marquage sur le boîtier
C5302
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Spec info
vitesse rapide (tf=100ns typ)
Technologie
'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
5V
Tf(max)
0.2us
Tf(min)
0.1us
Type de transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
6V
Produit d'origine constructeur
Sanyo