Transistor NPN 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V

Transistor NPN 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
6.83$
5-9
6.21$
10-24
5.75$
25-49
5.38$
50+
4.88$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 5

Transistor NPN 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PMLH. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 85W. FT: kHz. Fonction: haute vitesse. Gain hFE maxi: 11. Gain hFE mini: 3. Ic(puls): 36A. Marquage sur le boîtier: C5696. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: oui. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.3us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Sanyo. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:53

Documentation technique (PDF)
2SC5696
27 paramètres
Courant de collecteur
12A
Boîtier
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3PMLH
Tension collecteur/émetteur Vceo
800V
Diode CE
oui
Dissipation de puissance maxi
85W
FT
kHz
Fonction
haute vitesse
Gain hFE maxi
11
Gain hFE mini
3
Ic(puls)
36A
Marquage sur le boîtier
C5696
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance BE
oui
Technologie
'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
3V
Tf(max)
0.3us
Transistor Darlington?
non
Type de transistor
NPN
Vcbo
1600V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Sanyo

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