Transistor NPN 2SC5707FA, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V

Transistor NPN 2SC5707FA, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.26$
5-24
1.00$
25-49
0.89$
50+
0.79$
Quantité en stock: 212

Transistor NPN 2SC5707FA, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 330 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 11A. Marquage sur le boîtier: C5707T. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2040FA. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.11V. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur: Sanyo. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:53

Documentation technique (PDF)
2SC5707FA
26 paramètres
Courant de collecteur
8A
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
80V
Dissipation de puissance maxi
15W
FT
330 MHz
Fonction
convertisseur DC-DC, alimentation TFT
Gain hFE maxi
560
Gain hFE mini
200
Ic(puls)
11A
Marquage sur le boîtier
C5707T
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2SA2040FA
Technologie
'Epitaxial Planar Silicon Transistor'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.11V
Tf(max)
25 ns
Tf(min)
25 ns
Type de transistor
NPN
Vcbo
80V
Vebo
6V
Produit d'origine constructeur
Sanyo