Transistor NPN 2SC5859, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V

Transistor NPN 2SC5859, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V

Quantité
Prix unitaire
1-4
14.80$
5-9
13.60$
10-24
12.93$
25-49
12.15$
50+
11.21$
Quantité en stock: 1

Transistor NPN 2SC5859, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Courant de collecteur: 23A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): 2-21F2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Dissipation de puissance maxi: 210W. FT: 2 MHz. Fonction: pour déviation horizontale haute résolution, TV HD. Gain hFE maxi: 55. Gain hFE mini: 4.5. Ic(puls): 46A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.15us. Tf(min): 0.1us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:53

Documentation technique (PDF)
2SC5859
25 paramètres
Courant de collecteur
23A
Boîtier
TO-264 ( TOP-3L )
Boîtier (selon fiche technique)
2-21F2A
Tension collecteur/émetteur Vceo
750V
Dissipation de puissance maxi
210W
FT
2 MHz
Fonction
pour déviation horizontale haute résolution, TV HD
Gain hFE maxi
55
Gain hFE mini
4.5
Ic(puls)
46A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Technologie
'Triple Diffused MESA Type'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
3V
Tf(max)
0.15us
Tf(min)
0.1us
Transistor Darlington?
non
Type de transistor
NPN
Vcbo
1700V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Toshiba