Transistor NPN 2SD1207, TO-92, 2A, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V

Transistor NPN 2SD1207, TO-92, 2A, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.07$
5-9
0.89$
10-24
0.77$
25-49
0.69$
50+
0.59$
Quantité en stock: 17

Transistor NPN 2SD1207, TO-92, 2A, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 150 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 4A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB892. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor'. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur: Sanyo. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:53

Documentation technique (PDF)
2SD1207
24 paramètres
Boîtier
TO-92
Courant de collecteur
2A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92MOD ( 2-5J1A )
Tension collecteur/émetteur Vceo
50V
C (out)
12pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
1W
FT
150 MHz
Gain hFE maxi
400
Gain hFE mini
200
Ic(puls)
4A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2SB892
Technologie
'Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor'
Tension de saturation VCE(sat)
0.15V
Type de transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Produit d'origine constructeur
Sanyo