Transistor NPN BC847BPN, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V

Transistor NPN BC847BPN, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0696$
50-99
0.0588$
100-499
0.0522$
500+
0.0443$
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Quantité en stock: 2394
Minimum: 10

Transistor NPN BC847BPN, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-363 ( SC-88 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-363. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW. FT: 100 MHz. Fonction: DUAL NPN & PNP. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 13. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 6. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 13. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: PNP & NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Nxp Semiconductors. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 20:34

Documentation technique (PDF)
BC847BPN
27 paramètres
Courant de collecteur
100mA
Boîtier
SOT-363 ( SC-88 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-363
Tension collecteur/émetteur Vceo
45V
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
300mW
FT
100 MHz
Fonction
DUAL NPN & PNP
Gain hFE maxi
450
Gain hFE mini
200
Ic(puls)
200mA
Marquage sur le boîtier
13
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
6
Quantité par boîtier
2
RoHS
oui
Spec info
sérigraphie/code CMS 13
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.1V
Transistor Darlington?
non
Type de transistor
PNP & NPN
Vcbo
50V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Nxp Semiconductors
Quantité minimum
10