Transistor NPN BUT11APX, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V

Transistor NPN BUT11APX, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.68$
5-24
2.22$
25-49
1.98$
50+
1.78$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 43

Transistor NPN BUT11APX, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( SOT186A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 32W. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Transistor de puissance. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:17

Documentation technique (PDF)
BUT11APX
23 paramètres
Courant de collecteur
5A
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F ( SOT186A )
Tension collecteur/émetteur Vceo
450V
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
32W
Gain hFE maxi
35
Gain hFE mini
10
Ic(puls)
10A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Technologie
Transistor de puissance
Température de fonctionnement
-...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.25V
Tf(max)
160 ns
Tf(min)
145 ns
Type de transistor
NPN
Vcbo
1000V
Produit d'origine constructeur
Philips Semiconductors

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