Transistor NPN FJN3302R, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. FT: 250 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 300mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27