Transistor NPN KSC5027-O, 3A, TO-220, TO-220, 800V

Transistor NPN KSC5027-O, 3A, TO-220, TO-220, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.11$
5-24
2.71$
25-49
2.28$
50+
2.07$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 200

Transistor NPN KSC5027-O, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. C (out): 60pF. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 15 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 10A. Marquage sur le boîtier: KSC5027 (O). Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: 0...+150°C. Température: +150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tf(max): 0.3us. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 1100V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

KSC5027-O
28 paramètres
Courant de collecteur
3A
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension collecteur/émetteur Vceo
800V
C (out)
60pF
Conditionnement
tube en plastique
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
50W
FT
15 MHz
Fonction
Commutation à haute vitesse
Gain hFE maxi
40
Gain hFE mini
20
Ic(puls)
10A
Marquage sur le boîtier
KSC5027 (O)
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Température de fonctionnement
0...+150°C
Température
+150°C
Tension de saturation maxi VCE(sat)
2V
Tf(max)
0.3us
Type de transistor
NPN
Unité de conditionnement
50
Vcbo
1100V
Produit d'origine constructeur
Fairchild

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