Transistor NPN MD2310FX, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V

Transistor NPN MD2310FX, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.95$
5-24
3.36$
25-49
3.10$
50-99
2.83$
100+
2.52$
Quantité en stock: 59

Transistor NPN MD2310FX, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. C (out): 1.6pF. Date de production: 2014/17. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 62W. FT: 64kHz. Fonction: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 6. Ic(puls): 21A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:52

Documentation technique (PDF)
MD2310FX
28 paramètres
Courant de collecteur
14A
Boîtier
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Boîtier (selon fiche technique)
ISOWATT218FX
Tension collecteur/émetteur Vceo
1500V
C (out)
1.6pF
Date de production
2014/17
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
62W
FT
64kHz
Fonction
FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A)
Gain hFE maxi
8.5
Gain hFE mini
6
Ic(puls)
21A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
2.5V
Tf(max)
0.25us
Tf(min)
0.12us
Transistor Darlington?
non
Type de transistor
NPN
Vcbo
700V
Vebo
9V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics