Transistor NPN MJ10005, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V

Transistor NPN MJ10005, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V

Quantité
Prix unitaire
1-4
7.52$
5-9
6.65$
10-24
6.15$
25+
5.72$
Produit obsolète, bientôt retiré du catalogue
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Transistor NPN MJ10005, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO–204AE ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. C (out): 2.5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 175W. FT: kHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tf(max): 0.6us. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 650V. Vebo: 8V. Produit d'origine constructeur: Mospec Semiconductor Corp. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 05:05

Documentation technique (PDF)
MJ10005
25 paramètres
Courant de collecteur
20A
Boîtier
TO-3 ( TO-204 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3 ( TO–204AE )
Tension collecteur/émetteur Vceo
450V
C (out)
2.5pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
175W
FT
kHz
Gain hFE maxi
400
Gain hFE mini
40
Ic(puls)
30A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
Spec info
Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms
Température de fonctionnement
-65...+200°C
Tension de saturation VCE(sat)
2V
Tf(max)
0.6us
Transistor Darlington?
oui
Type de transistor
NPN
Vcbo
650V
Vebo
8V
Produit d'origine constructeur
Mospec Semiconductor Corp.