Transistor NPN MJ11016G, TO-3 ( TO-204 ), 30A, 30A, TO-3 ( TO-204 ), 120V
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Transistor NPN MJ11016G, TO-3 ( TO-204 ), 30A, 30A, TO-3 ( TO-204 ), 120V. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 30A. Courant de collecteur: 30A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. C (in): 4pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. FT: 4 MHz. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE mini: 1000. Marquage du fabricant: MJ11016G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11015. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:52