Transistor NPN MJE13007G, 400V, TO-220AB, 8A, 8A
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Transistor NPN MJE13007G, 400V, TO-220AB, 8A, 8A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 400V. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur: 8A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Fréquence maxi: 14 MHz. Marquage du fabricant: MJE13007G. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 80W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Type de transistor: Transistor de puissance. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 15:27
MJE13007G
19 paramètres
Tension collecteur-émetteur VCEO
400V
Boîtier
TO-220AB
Courant de collecteur
8A
Courant de collecteur Ic [A], max.
8A
Boîtier (norme JEDEC)
TO-220
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Dissipation maximale Ptot [W]
80W
Famille de composants
transistor NPN haute tension
Fréquence de coupure ft [MHz]
4 MHz
Fréquence maxi
14 MHz
Marquage du fabricant
MJE13007G
Nombre de bornes
3
Polarité
NPN
Puissance
80W
RoHS
oui
Température maxi
+150°C.
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
400V
Type de transistor
Transistor de puissance
Produit d'origine constructeur
Onsemi