Transistor NPN MJE18004, TO-220, 5A, TO-220AB, 450V

Transistor NPN MJE18004, TO-220, 5A, TO-220AB, 450V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.75$
5-24
1.53$
25-49
1.39$
50-99
1.27$
100+
1.10$
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Transistor NPN MJE18004, TO-220, 5A, TO-220AB, 450V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. C (out): 2.5pF. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: 13 MHz. Fonction: Applications d'alimentation à découpage. Fréquence: 13MHz. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 12. Gain hfe: 4...28. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 75W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 450V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Vebo: 9V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
MJE18004
33 paramètres
Boîtier
TO-220
Courant de collecteur
5A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension collecteur/émetteur Vceo
450V
C (out)
2.5pF
Conditionnement
tubus
Courant de collecteur Ic [A]
5A
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
75W
FT
13 MHz
Fonction
Applications d'alimentation à découpage
Fréquence
13MHz
Gain hFE maxi
34
Gain hFE mini
12
Gain hfe
4...28
Ic(puls)
10A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
bipolaire
Puissance
75W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension (collecteur - émetteur)
450V
Tension de saturation VCE(sat)
0.5V
Tf(max)
400us
Tf(min)
70us
Type de transistor
NPN
Vcbo
1000V
Vebo
9V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor

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