Transistor NPN MJL21194, TO-264 ( TOP-3L ), 16A, TO–3PBL, 250V

Transistor NPN MJL21194, TO-264 ( TOP-3L ), 16A, TO–3PBL, 250V

Quantité
Prix unitaire
1-4
10.91$
5-9
9.71$
10-24
8.81$
25-49
8.04$
50+
7.13$
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Transistor NPN MJL21194, TO-264 ( TOP-3L ), 16A, TO–3PBL, 250V. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Courant de collecteur: 16A. Boîtier (selon fiche technique): TO–3PBL. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (out): 6pF. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 16A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 200W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21193. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 250V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
MJL21194
31 paramètres
Boîtier
TO-264 ( TOP-3L )
Courant de collecteur
16A
Boîtier (selon fiche technique)
TO–3PBL
Tension collecteur/émetteur Vceo
250V
C (out)
6pF
Conditionnement
tubus
Courant de collecteur Ic [A]
16A
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
200W
FT
4 MHz
Fonction
hFE=25 Min @ IC=8Adc
Gain hFE maxi
75
Gain hFE mini
25
Ic(puls)
30A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
bipolaire
Puissance
200W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) MJL21193
Technologie
'Epitaxial-Base'
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension (collecteur - émetteur)
250V
Tension de saturation VCE(sat)
1.4V
Type de transistor
NPN
Vcbo
400V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor

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