Transistor NPN MJW21196, 16A, TO-247, TO-247, 400V

Transistor NPN MJW21196, 16A, TO-247, TO-247, 400V

Quantité
Prix unitaire
1-4
9.98$
5-24
9.07$
25-49
7.90$
50+
7.32$
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Transistor NPN MJW21196, 16A, TO-247, TO-247, 400V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 4 MHz. Fonction: Excellente linéarité de gain. Gain hFE maxi: 80. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJW21195. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 18:37

Documentation technique (PDF)
MJW21196
24 paramètres
Courant de collecteur
16A
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247
Tension collecteur/émetteur Vceo
400V
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
200W
FT
4 MHz
Fonction
Excellente linéarité de gain
Gain hFE maxi
80
Gain hFE mini
20
Ic(puls)
30A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) MJW21195
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
1V
Type de transistor
NPN
Vcbo
250V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor