Transistor NPN MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V

Transistor NPN MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0396$
50-99
0.0334$
100+
0.0303$
Quantité en stock: 1009
Minimum: 10

Transistor NPN MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 1.6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 225mW. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1.2A. Marquage sur le boîtier: 2F. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD '2F'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 18:37

Documentation technique (PDF)
MMBT2907ALT1G
26 paramètres
Courant de collecteur
0.6A
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
60V
C (out)
1.6pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
225mW
FT
200 MHz
Gain hFE maxi
300
Gain hFE mini
100
Ic(puls)
1.2A
Marquage sur le boîtier
2F
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
SMD '2F'
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.4V
Type de transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor
Quantité minimum
10