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| 12 in stock | |
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Transistor NPN MMBT5551, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V
Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0729$
50-99
0.0619$
100-299
0.0526$
300+
0.0404$
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| Equivalence disponible | |
| Quantité en stock: 2663 |
Transistor NPN MMBT5551, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Equivalences: MMBT5551LT1G. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: G1. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS G1 (3S Fairchild). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 180V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur: Diotec Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 18:37
MMBT5551
27 paramètres
Courant de collecteur
0.6A
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
160V
Conditionnement
rouleau
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
300mW
Equivalences
MMBT5551LT1G
FT
100 MHz
Gain hFE maxi
250
Gain hFE mini
60
Marquage sur le boîtier
G1
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
sérigraphie/code CMS G1 (3S Fairchild)
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.15V
Type de transistor
NPN
Unité de conditionnement
3000
Vcbo
180V
Vebo
6V
Produit d'origine constructeur
Diotec Semiconductor
Quantité minimum
10