Transistor NPN MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V

Transistor NPN MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.59$
5-9
0.45$
10-24
0.40$
25+
0.36$
Quantité en stock: 2893

Transistor NPN MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 338mW. FT: kHz. Fonction: transistor avec réseau de résistance de polarisation. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: 8B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: B1GBCFLL0035. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 8B. Technologie: Transistors numériques (BRT). Température: +150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 07:07

MUN2212
24 paramètres
Courant de collecteur
0.1A
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm )
Tension collecteur/émetteur Vceo
50V
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
338mW
FT
kHz
Fonction
transistor avec réseau de résistance de polarisation
Gain hFE maxi
100
Gain hFE mini
60
Marquage sur le boîtier
8B
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Remarque
B1GBCFLL0035
RoHS
oui
Spec info
sérigraphie/code CMS 8B
Technologie
Transistors numériques (BRT)
Température
+150°C
Type de transistor
NPN
Vcbo
50V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor