Transistor NPN NJW3281, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V

Transistor NPN NJW3281, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V

Quantité
Prix unitaire
1-4
10.06$
5-14
8.84$
15-29
7.98$
30-59
7.23$
60+
6.34$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 30

Transistor NPN NJW3281, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Date de production: 201452 201512. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 30 MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW1302. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
NJW3281
27 paramètres
Courant de collecteur
15A
Boîtier
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3P
Tension collecteur/émetteur Vceo
250V
C (in)
9pF
C (out)
6pF
Date de production
201452 201512
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
200W
FT
30 MHz
Fonction
amplificateur de puissance audio
Gain hFE maxi
150
Gain hFE mini
45
Ic(puls)
30A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) NJW1302
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.4V
Type de transistor
NPN
Vcbo
250V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor

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