Transistor PNP 2N5416, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V

Transistor PNP 2N5416, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.61$
5-24
1.39$
25-49
1.25$
50-99
1.17$
100+
1.04$
Quantité en stock: 9

Transistor PNP 2N5416, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 75pF. C (out): 15pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 10W. FT: 15 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse et amplificateur linéaire. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur: Cdil. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:27

Documentation technique (PDF)
2N5416
24 paramètres
Courant de collecteur
1A
Boîtier
TO-39 ( TO-205 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-39
Tension collecteur/émetteur Vceo
300V
C (in)
75pF
C (out)
15pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
10W
FT
15 MHz
Fonction
Commutation à haute vitesse et amplificateur linéaire
Gain hFE maxi
120
Gain hFE mini
30
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Température de fonctionnement
-65...+200°C
Tension de saturation VCE(sat)
2V
Type de transistor
PNP
Vcbo
350V
Vebo
6V
Produit d'origine constructeur
Cdil