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| 12 in stock | |
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Transistor PNP 2N6520, -350V, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V
Quantité
Prix unitaire
10-49
0.12$
50-99
0.10$
100-199
0.0923$
200+
0.0780$
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| Equivalence disponible | |
| Quantité en stock: 155 |
Transistor PNP 2N6520, -350V, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -350V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. C (in): 100pF. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 200 MHz. Fonction: -. Fréquence maxi: 40MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 15. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: PNP. Puissance: 0.63W. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6517. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Cdil. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 01:37
2N6520
27 paramètres
Tension collecteur-émetteur VCEO
-350V
Courant de collecteur
0.5A
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92
Tension collecteur/émetteur Vceo
350V
C (in)
100pF
C (out)
6pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.625W
FT
200 MHz
Fréquence maxi
40MHz
Gain hFE maxi
200
Gain hFE mini
15
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Polarité
PNP
Puissance
0.63W
Quantité par boîtier
1
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2N6517
Tension de saturation VCE(sat)
0.3V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
1V
Type de transistor
PNP
Vcbo
350V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Cdil
Quantité minimum
10