Transistor PNP 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V

Transistor PNP 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.26$
5-49
0.21$
50-99
0.18$
100-199
0.17$
200+
0.14$
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Quantité en stock: 100

Transistor PNP 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92, 2-5F1B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 4pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. FT: 80 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC1162. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température de fonctionnement: -...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:35

Documentation technique (PDF)
2SA1015GR
26 paramètres
Courant de collecteur
0.15A
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92, 2-5F1B
Tension collecteur/émetteur Vceo
50V
C (out)
4pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.4W
FT
80 MHz
Fonction
amplificateur audio
Gain hFE maxi
400
Gain hFE mini
200
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2SC1162
Technologie
'Epitaxial Type (PCT Process)'
Température de fonctionnement
-...+125°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.1V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
0.3V
Type de transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Toshiba